O módulo Cool SiC ™ 62 mm abre novas aplicações para carboneto de silício

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Munique, Alemanha – 29 de junho de 2020 – A Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) adiciona outro pacote padrão do setor à sua família de módulos CoolSiC ™ MOSFET 1200 V. O dispositivo comprovado de 62 mm foi projetado em topologia de meia ponte e é baseado na tecnologia de cavacos. Ele abre o carboneto de silício para aplicações na faixa de potência média a partir de 250 kW – onde o silício atinge os limites de densidade de potência com a tecnologia IGBT. Em comparação com um módulo IGBT de 62 mm, a lista de aplicativos agora inclui adicionalmente sistemas solares, de servidor, de armazenamento de energia, carregador EV, tração, cozimento por indução comercial e sistemas de conversão de energia.

O módulo de 62 mm possui os MOSFET CoolSiC da Infineon, que permitem uma alta densidade de corrente. Perdas muito baixas de comutação e condução minimizam os esforços de resfriamento, enquanto a operação do dispositivo em alta frequência de comutação permite o uso de componentes magnéticos menores. Ao implementar a tecnologia de chip CoolSiC da Infineon, é possível projetar projetos de inversores menores para a aplicação em termos de tamanho, os custos gerais do sistema podem ser reduzidos.

O módulo Cool SiC ™ 62 mm abre novas aplicações para carboneto de silício 2Com uma placa de base e conexões de parafuso, a carcaça é caracterizada por um projeto mecânico muito robusto, que é otimizado para maior disponibilidade do sistema, um mínimo de custo de serviço e perdas de folga. A confiabilidade excepcional é possibilitada pela alta capacidade de ciclagem térmica e uma temperatura operacional contínua (Tvjop) de 150 ° C. O design interno simétrico do alojamento permite condições de comutação idênticas para o interruptor superior e inferior. Como opção, o desempenho térmico do módulo pode ser aprimorado ainda mais com a interface térmica pré-aplicada Material (TIM).

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Disponibilidade
Os MOSFETs CoolSiC ™ 1200 V na embalagem de 62 mm são fornecidos em variantes de 6 mΩ / 250 A, 3 mΩ / 357 A e 2 mΩ / 500 A, respectivamente. Projetado para caracterização rápida (operação de pulso duplo / contínuo), está disponível uma placa de avaliação para os dispositivos. Para facilitar o uso, oferece um ajuste flexível da tensão do portão e dos resistores do portão. Ao mesmo tempo, pode servir como um design de referência para placas de driver para produção em série. Mais informações estão disponíveis em www.infineon.com/sic-mosfet-modules, www.infineon.com/SiC.

Cabine virtual PCIM 2020
Este ano, a Infineon executará o PCIM 2020 completamente virtualmente. Como sempre, os visitantes podem esperar uma visão abrangente das inovações de produtos e soluções de aplicativos. Com o mais amplo portfólio de semicondutores de potência – abrangendo as tecnologias de silício, carboneto de silício (CoolSiC ™) e nitreto de gálio (CoolGaN ™) – a Infineon continua a definir a referência. A feira on-line abre suas portas a partir de 1º de julho de 2020. Clique aqui para se registrar.

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